“单晶圆”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果524011个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]底座和多晶开方机构-CN202022193078.3有效
发明人：欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：底座设置于多晶开方机上，包含：可旋转装置，带动单晶圆棒绕单晶圆棒的轴线旋转，单晶圆棒上具有多根平行于单晶圆棒轴线的棱线；检测装置，用于检测单晶圆棒的棱线；主控系统，与可旋转装置和检测装置通讯连接，用于在检测装置检测到棱线后当检测装置检测到单晶圆棒的棱线时，可旋转装置即可带动单晶圆棒进行旋转，使得切割单晶圆棒的钢线与单晶圆棒的棱线之间存在预设夹角，钢线从该预设夹角切割后，即可获得理想的最终产物。因此，通过本发明中的底座与多晶开方机的配合，即可使得多晶开方机也能够切割单晶圆棒。
底座多晶开方机构

[发明专利]具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187199.6有效
发明人：帅垚;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡
具有缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法-CN201910442484.8在审
发明人：张岩;江钧 -专利权人：上海浦睿信息科技有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法，包括：单晶晶圆片的离子注入；将单晶晶圆片的离子注入面与媒介晶圆片键合面键合后剥离获得基于媒介晶圆片衬底的单晶薄膜；将媒介晶圆片上单晶薄膜表面与CMOS电路晶圆片键合；腐蚀剥离媒介晶圆片获得基于CMOS电路衬底的单晶薄膜。通过将铌酸锂单晶薄膜在与CMOS电路键合前先键合在第三方衬底上，然后采用转移的方法将铌酸锂单晶薄膜无损地键合在CMOS电路晶圆片上；使用薄膜转移的方式在媒介衬底上提前对铌酸锂单晶薄膜进行高温退火工艺，然后将铌酸锂单晶薄膜转移到目标CMOS电路片晶圆片衬底上，可以减少对CMOS电路的损坏。
衬底晶圆片单晶薄膜铌酸锂单晶键合媒介圆片薄膜薄膜转移制备剥离离子注入面高温退火第三方键合面地键片晶无损离子腐蚀

[发明专利]半导体复合晶圆及制造方法-CN202010734727.8在审
发明人：万明 -专利权人：苏州赛万玉山智能科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体复合晶圆，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。由于所述陶瓷材料层与所述单晶晶圆层同质，所以两者将拥有相同的热膨胀系数，后续在所述半导体复合晶圆上进行外延及芯片制作将无需特别更改工艺，芯片制作完全后背面减薄主要是将所述半导体复合晶圆中的陶瓷材料层减薄去除，保留相应的单晶晶圆层以及可能的外延层材料即可。所述半导体复合晶圆中的单晶晶圆层的厚度远小于一般纯单晶晶圆的厚度，极大地提高单晶材料的利用率，节省了大量昂贵的单晶材料，同时也降低了相应的晶圆以及芯片加工成本。
半导体复合制造方法

[发明专利]一种新型单晶圆棒切割方法-CN202011143473.9在审
发明人：尚天保;单远 -专利权人：尚天保
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及清洁能源太阳能光伏单晶棒和半导体单晶方棒技术领域，具体涉及一种新型新型单晶圆棒切割方法。包括以下步骤，切割定位端面A；根据预制硅片尺寸与单晶圆棒直径关系，确定斜切角度；利用金刚线按照斜切角度，切除单晶圆棒两端角；从单晶圆棒一端依据斜切角度切割，形成圆形单晶硅片；将圆硅片去掉多余边角；将切割好的单晶硅片进行清洗测量检验得到成品通过将单晶圆棒按照硅片尺寸要求以及圆棒直径大小关系计算最优斜切角度后，进行斜切，从而显著提高了材料利用率，及硅片有效总面积。
一种新型单晶圆棒切割方法

[发明专利]单晶晶圆的表内判断方法-CN201680048656.8有效
发明人：渡边城康 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶晶圆的表内判断方法，包含作为该单晶晶圆，使用具有对于基准方向而左右不对称的结晶面之物，该基准方向是连结该单晶晶圆的端面所形成的方位特定用的切口的中心与该单晶晶圆的中心的方向；正对该左右不对称的结晶面，通过向该单晶晶圆照射X光并检测绕射X光，测定该正对的结晶面的方位与该基准方向所构成的角度；自该经测定的角度值，判断该单晶晶圆的面为表面或是内面。由此，确实判断单晶晶圆的表内，且于成本方面优良的单晶晶圆的表内判定方法。
单晶晶圆判断方法

[发明专利]一种同心圆单晶硅电池处理方法-CN202010097268.7有效
发明人：金井升;李文琪;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理。本申请公开的上述技术方案，通过高温预处理和低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，以在不降低单晶硅电池效率的情况下对单晶硅电池中所产生的的同心圆进行处理，从而降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用。
一种同心圆单晶硅电池处理方法

[发明专利]复合单晶压电薄膜及其制备方法-CN202210844224.5在审
发明人：韩智勇;刘亚明;胡卉;胡文;李真宇;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L41/37 文献下载
摘要：本申请公开了一种复合单晶压电薄膜及其制备方法，涉及离子注入技术领域，包括：控制离子注入设备将离子束扫描注入至单晶晶圆，得到单晶晶圆注入片，离子束的注入剂量由单晶晶圆的边缘位置到中心位置逐渐减少，或由单晶晶圆的一边到相对的另一边逐渐减少；将单晶晶圆注入片与衬底晶圆接触，得到键合体；对键合体执行热分离处理，以使单晶晶圆注入片在注入层由边缘位置到中心位置逐渐分离，或由单晶晶圆注入片的一边到相对的另一边逐渐分离，得到复合单晶压电薄膜。本申请中通过在单晶晶圆注入层所注入不均匀的离子剂量，在进行热分离时，使其由边缘位置到中心位置缓慢分离，或由一边到相对的另一边缓慢分离，以此减少分离过程中对晶片造成的缺陷。
复合压电薄膜及其制备方法

[发明专利]110偏晶向硅片的制备工艺-CN202111560346.3在审
发明人：宫龙飞;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种110偏晶向硅片的制备工艺，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为100的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转45°，再将单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为
110 硅片制备工艺

[发明专利]一种大尺寸单晶圆棒切割装置和切割方法-CN201910692584.6在审
发明人：匡文军;史彦龙;马洋;高润飞;谷守伟;徐强 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸单晶圆棒切割装置，切割室内设有“井”字型金刚线，“井”字型金刚线设置在单晶圆棒一端并与单晶圆棒的端面平行；切割室内壁上设有边皮夹紧装置，边皮夹紧装置包括四个，四个边皮夹紧装置分别对应单晶圆棒切割得到的四个边皮；切割时在单晶圆棒一端通过“井”字型金刚线沿单晶圆棒轴线方向对单晶圆棒进行切割。本发明的有益效果是：采用“井”字型金刚线从圆棒端面下刀，金刚线和单晶接触面积较小，线弓也会较小，能够提升硅棒的加工效率；采用分段式切割方式，配合边皮夹具固定切下的边皮，能够有效的降低硅棒崩损的概率，并能够有效提高单晶硅棒的表面质量
一种尺寸单晶圆棒切割装置方法

[实用新型]一种大尺寸单晶圆棒切割装置-CN201921209042.0有效
发明人：匡文军;史彦龙;马洋;高润飞;谷守伟;徐强 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大尺寸单晶圆棒切割装置，切割室内设有“井”字型金刚线，“井”字型金刚线设置在单晶圆棒一端并与单晶圆棒的端面平行；切割室内壁上设有边皮夹紧装置，边皮夹紧装置包括四个，四个边皮夹紧装置分别对应单晶圆棒切割得到的四个边皮；切割时在单晶圆棒一端通过“井”字型金刚线沿单晶圆棒轴线方向对单晶圆棒进行切割。本实用新型的有益效果是：采用“井”字型金刚线从圆棒端面下刀，金刚线和单晶接触面积较小，线弓也会较小，能够提升硅棒的加工效率；采用分段式切割方式，配合边皮夹具固定切下的边皮，能够有效的降低硅棒崩损的概率，并能够有效提高单晶硅棒的表面质量，提高产品合格率。
一种尺寸单晶圆棒切割装置

[发明专利]图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器-CN201911138581.4有效
发明人：罗文博;简珂;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。
图形化单晶薄膜制备方法谐振器

[发明专利]锑化铟芯片的制备方法-CN202011383350.2在审
发明人：郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法，该制备方法包括：制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层；对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形；对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极；用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片；对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置
锑化铟芯片制备方法

[发明专利]拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187266.4在审
发明人：罗文博;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种拼接式小尺寸单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；包括制备步骤：选择至少两个小尺寸单晶晶圆，在各小尺寸单晶晶圆的下表面注入高能量离子；在衬底的上表面划分出与各小尺寸单晶晶圆匹配的键合区域，在键合区域内制备与小尺寸单晶晶圆匹配的键合层，将各小尺寸单晶薄膜层叠放于一一对应的键合区域内，进行上压电层剥离处理，制得拼接式单晶薄膜。本发明通过将小尺寸的单晶薄膜拼接在一个大的衬底上的设计以解决现有技术存在的小尺寸的单晶晶圆无法制备大于其自身尺寸的单晶薄膜，以及现有的单晶薄膜无法满足多功能器件的应用的技术问题。
单晶薄膜制备尺寸单晶键合区域拼接式薄膜谐振器衬底匹配制备技术领域多功能器件高能量离子剥离处理键合层上表面下表面压电层拼接应用

[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法-CN201580004474.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
单晶硅热处理方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条